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單晶硅作為太陽能電池、半導體的主要基材，無論在哪個領域由單晶硅制作的產品都需要高精度測量厚度。太陽能電池內的晶體硅電池片厚約0.3毫米，主要肩負起發電的作用，如果厚度超出公差會致使光電轉換效率大打折扣，封裝的時候同樣也會因為厚度超出標準而出現在錯誤的位置上。半導體的硅片厚度會更加苛刻，例如8英寸的硅片厚度標準為725um，厚度薄于公差容易使單晶硅片在運輸的過程中碎裂，厚于公差則會加速后續封裝前的研磨刀具磨損。單晶硅硅片脆性較高，如果使用接觸測量形式的量具很容易造成硅片出現各種瑕疵，所以使用上下激光厚度測量儀進行單晶硅硅片的厚度測量十分有必要。
極志雙激光厚度測量儀不同于通用型測量工具的點就在于其非接觸、高精度、快速的測量特點，采用上下兩個激光側頭對硅片進行高精度的厚度測量，測量全程不會接觸到硅片表面，不會對硅片施加應力更不會壓壞硅片，保證了硅片表面的光潔度。上下激光厚度測量儀采用開放式工作臺的設計，放置硅片十分方便，放置硅片的瞬間就能得出當前硅片的厚度，精確到um級別，可單點測量，也可以多點測量，并通過測量軟件保存測量數據，可以設定產品的公差，不合格產品顯示出來，十分方便。
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